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空穴型半导体

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空穴型半导体又称P型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。

掺入的杂质越糠删端多,多子(空组立乘驼穴)的浓度就越高。

在纯净的硅兆良晶体中掺入归谅套喇三价元素(如硼多辣谜),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中键懂狱,空穴为多子,自由电子为少子,主要凶战企靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。