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Kondo效应

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Kondo效应是指磁性杂质中的局域自旋与自由电子强关联相互作用所引起的一系列低温反常现象

Kondo效应是指磁性杂质中的局域自旋与自由电子强关联相互作用所引起的一系列低温反常现象:大多材料电阻率ρ在盼探颈高温下与T成正比,在低温下与T^5成正比,这是由于声子数随材料冷却而减少造成的;在稀磁合金中,材料电阻在寻慨拜处于Kondo温度(一般在10~20K)时达到最小值,高于该温度,催您鸦迁电阻率与T^5成正比,而在低于该温度时与-lnT成正比,随着温度的逐渐降低,最终过渡到与T无关的常数。近年来,扫描隧道显微镜技厦晚旬府术的迅速发展使人们能够精确地测量单个磁性原子或分子在金属表面上的Kondo效应,而在原子尺度上探索影响Kondo效应的因素是实现单分柜趋乌子自旋态量子调控的关键。

Kondo采用传导电子与磁性杂质间的交换相互作用来描述稀磁合金的问题:

U=-Js·σ,J为交换积分,s是杂质原子自旋(矢量),σ是传导电子自旋(矢量)(J<0)

计算到二级微扰,元辣酷我们有

△ρ=nρ[1+4Jg(Ef)ln(KT/D)]

g(Ef)是费米态密度,D为导带半宽,K为波尔兹曼常精阀数